Samsung Galaxy S7 Edge otestován benchmarkem Geekbench

Ve webové databázi bechmarku Geekbench se objevily výsledky zatím nepředstaveného Samsungu Galaxy S7 Edge. Otestována byla evropská varianta označená jako SM-G935F, u které se předpokládá přítomnost osmijádrového čipsetu Exynos 8890

Klepněte pro větší obrázek
Výsledky Samsungu Galaxy S7 Edge v benchmarku Geekbench

Tomu se v testech ale zatím nevedlo moc dobře. Jednorázové testy vykázaly skóre 1 363, vícejádrové pak znamenaly výsledek 4 951 bodů. Ze současného srovnání tak nový Exynos vychází hůře, než Snapdragon 820, který bude instalován do „es sedmiček“ v USA, jehož skóre bylo 2 456 (jednojádrový test) a 5 423 (vícejádrový test). Testovaný S7 Edge ale mohl mít předprodukční hardware, příp. omezený takt procesoru, takže s porovnáním počkáme až na finální varianty.

Benchmark dále potvrdil, že telefon bude mít 4 GB RAM a poběží na Androidu 6.0.1 Marshmallow. Galaxy S7 Edge má být oficiálně představen koncem února v Barceloně po boku základní Galaxy S7 (SM-G930F), od které se bude odlišovat jen větším a dvakrát zahnutým Super AMOLED panelem s QHD rozlišením.

7 komentářů

Nejnovější komentáře

  • DeX.DC 29. 1. 2016 16:32:18
    Kdyz se divam na vysledky S6/S6 edge, tak vsude se uvadi 1450 - 1520 bodu...

Určitě si přečtěte


Rekordmana v operační paměti má LeEco, ale brzy jej překoná Xiaomi

Rekordmana v operační paměti má LeEco, ale brzy jej překoná Xiaomi

** Kapacita operační paměti je snadno pochopitelný parametr, a tak jej výrobci mění na marketingovou zbraň. ** Praktický přínos je v oblastech nad 4 GB přinejmenším diskutabilní. ** LeEco má 6 GB RAM, Xiaomi připravuje 8 GB RAM a ve výhledu je i 12 GB

24.  9.  2016 | Kůžel Filip | 17