Samsung na svém blogu oficiálně představil nové paměti, které otevírají dveře k velkokapacitním smartphonům budoucnosti. Jedná se o čipy z kategorie standardu UFS 2.0 (Universal Flash Storage) s vysokými přenosovými rychlostmi, které již jihokorejský výrobce použil u modelů Galaxy S6, S6 Edge, S6 Edge+ a nově také u Galaxy S7 a Galaxy S7 Edge.
Nové 256GB UFS 2.0 paměti od Samsungu pro smartphony vyšší třídy přinášejí oproti loňské generaci zhruba dvojnásobné rychlosti při čtení a zápisu dat. Do smartphonů se mají dostat ještě v průběhu letošního roku
Zatím nejnovějším modelem je 256GB paměťový čip UFS 2.0, s výkonným paměťovým controllerem zvládne paměť až 45 tisíc vstupně-výstupních operací (IOPS) při čtení, resp. 40 tisíc operací při zápisu dat. Oproti předchozí generaci se však podařilo navýšit přenosové rychlosti zhruba dvojnásobně, sekvenční čtení může probíhat rychlostí až 850 MB/s (tj. téměř dvakrát jako běžný SATA SSD disk v počítači), při sekvenčním zápisu se dostáváme na rychlost až 260 MB/s.
Nové rychlé paměti, nejen, že výrazně rozšiřují kapacitu úložného prostoru na smartphonu, ale díky svým rychlostem jsou také určeny pro bezproblémové přehrávání 4K videí včetně multitaskingu na mobilních zařízeních s velkými displeji. Testováno bylo např. přehrávání 4K videa v režimu Multidispleje při současném vyhledávání souborů či souběžném stahování dat.
Samsung v současné době zahajuje masovou výrobu těchto paměťových čipů, první zařízení s nimi by se na trhu měla objevit ještě v tomto roce. Znamená to, že se rychle blíží éra smartphonů, které budou mít paměti s řádově stovky Gigabajty?
