Samsung dokončil vývoj 2. generace 10nm procesu. Do výroby půjde koncem roku

Samsung v polovině dubna oznámil, že dokončil vývoj 2. generace 10nm výrobní technologie FinFET, která je označena jako 10LPP (Low Power Plus). Díky vylepšenému prostorovému uspořádání všech součástí došlo k desetiprocentnímu navýšení výkonu a ke snížení spotřeby o 15 procent vzhledem k první generaci 10LPE (Low Power Early).

Technologie 10LPE byla vyvinuta začátkem loňského roku, v říjnu 2016 pak byla zahájena masová výroba prvních 10nm čipsetů od Samsungu, které pohání současnou generaci modelů Galaxy S8. Díky očekávanému zvýšení poptávky o 10nm technologii začíná Samsung do dostavované továrny S3-Line v jihokorejském Hwaseongu instalovat nové výrobní linky.

Výroba v S3-Line má být spuštěna v posledním čtvrtletí letošního roku.

Zdroj Samsung News

 

Témata článku: Samsung, Mobilní procesory, Exynos, 10nm, FinFET, Mobilní čipsety, Polovodiče, Rok, Generace, Masová výroba, Poslední čtvrtletí, Power plus, Vývoj, Low power plus, Uspořádání, Low power earl


Určitě si přečtěte

HTC U11+: menší rámečky, větší baterie a Oreo na palubě [preview]

HTC U11+: menší rámečky, větší baterie a Oreo na palubě [preview]

** HTC představilo „oživení“ půl roku starého HTC U11 ** Zvětšoval se displej, kapacita baterie i operační paměť ** Novinka také lépe odolá vodě (IP68), většinu zbývajících funkcí však podědila po starším U11

2.  11.  2017 | Chroust Martin | 9