Samsung plánuje smartphony se 128GB interní pamětí

Samsung v uplynulých dnech oznámil, že zahajuje výrobu 128GB paměťových čipů pro mobilní zařízení. Bude se tak jednat o dvojnásobné zvětšení maximální velikosti (64 GB) interní paměti, kterou v současnosti u smartphonů můžeme najít. Současně byla zahájena výroba nových paměťových modulů DRAM pro mobilní zařízení, konkrétně se jedná o první 2GB LPDDR3 DRAM, která navazuje na svého předchůdce LPDDR2. Vyrobena je 30nm technologií a bude do budoucna využita pro rychlé vícejádrové procesory, displeje s velkým rozlišením a 3D grafiku v tabletech a smartphonech. Nová DRAM paměť dokáže přenášet data rychlostí až 1600 Mbps, paměti LPDDR2 dosahovaly maximální přenosové rychlosti 1066 Mbps.

Klepněte pro větší obrázek 
Mimo 128GB Flash pamětí začal Samsung vyrábět i rychlejší 2GB paměti DRAM. Setkáme se s nimi u smartphonů a tabletů.

Kdy můžeme očekávat super-smartphone s 2GB RAM a 128GB interní Flash pamětí? Oficiálně nic oznámeno nebylo, zvýšený výskyt high-end modelů s lepšími hardwarovými specifikacemi odhadujeme na začátek roku 2013. Samsung se netají tím, že poskytne nové HW části i výrobcům třetích stran, s velkou pravděpodobností je však nebude dodávat svému úhlavnímu nepříteli, Applu, se kterým po celém světě vede celou řadu patentových sporů.

Klepněte pro větší obrázek
Bude Samsung P10 (prozatimní kódové označení) prvním zařízením s 2GB RAM, 128GB Flash pamětí a čtyřjádrovým Exynosem 5? (ilustrační obrázek)

Ve spojitosti s nedávno představeným procesorem Exynos 5 bychom se ale u Samsungu mohli dočkat ještě letos. Je třeba mít na paměti tablet s kódovým označením P10, který by měl být představen ještě letos. Až čas ukáže, zdali se z 11,8" modelu P10 s WQXGA displejem (2560 x 1600 pix) vyklube první super-tablet.

Zdroj: SamsungTomorrow.com

Diskuze (76) Další článek: Sony Xperia Go: tramp v městském oblečení [video]

Témata článku: Samsung, , , Čtyřjádrový exynos, SMA, Zvýšený výskyt, Úhlavní nepřítel, PLA, Sam, Plán, Samsun