Špičkový mobilní čipset Snapdragon 845 se představil už minulý týden, až později přidal Qualcomm informace o ještě rychlejším nabíjení. Quick Charge 4+ přináší hned několik novinek.
Tou první je vylepšená funkce Dual Charge, která využívá toho, že jsou v telefonu přítomny dva samostatné obvody pro správu napájení. Díky tomu se dělí napájecí proud, což vede k celkovému snížení teploty baterie při nabíjení (až o 3° C) a k dalšímu snížení doby nabíjení. Inteligentní teplotní vyvážení je úzce navázáno na Dual Charge, díky němu prochází proud autonomně tou „nejchladnější trasou“. Eliminuje se tak výskyt izolovaných míst s vyšší teplotou, tzv. „hot spots“.
Quick Charge 4+ je také bezpečnější. Novinkou je ochranná vrstva, které hlídá teplotu krytu telefonu a konektoru, čímž předchází možnému přehřátí, zkratům nebo poškození konektoru USB-C. Při srovnání s Quick Charge 4 nabídne „plusko“ až o 30 % větší efektivitu a až o 15 procent vyšší rychlost nabíjení. To vše je nyní prováděno pod menšími teplotami, tudíž bezpečněji.
Prvním certifikovaným smartphonem pro Quick Charge 4+ je Nubia Z17, která´běží na starším Snapdragonu 835. Zdá se tedy, že pro Quick Charge 4+ není třeba nový čipset, přesto jeho boom jistě spustí až budoucí topmodely postavené na Snapdragonu 845. Doba nabíjení z nuly na sto se tak bude ze současných 1,5 až 2 hodin pomalu blížit jedné hodině. A pokud k tomu výrobci ještě „přibalí“ baterie s většími kapacitami, budou uživatelé určitě spokojeni.
Qualcomm mapuje své desetileté výročí na poli mobilních čipsetů:
Zdroj Qualcomm
